GaAsMESFET准二维动态大信号模型

王 静;邓先灿

电子学报 ›› 2000, Vol. 28 ›› Issue (8) : 143-145.

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电子学报 ›› 2000, Vol. 28 ›› Issue (8) : 143-145.
论文

GaAsMESFET准二维动态大信号模型

  • 王 静, 邓先灿
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Quasi-Two-Dimensional Dynamic Large-signal GaAs MESFET Model

  • WANG Jing, DENG Xian-can
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摘要

本文运用电荷控制分析方法,提出了GaAs MESFET以电荷源为基本组成元件的大信号非线性动态模型.该模型在解决了电荷不守恒问题以及DC与RF电流不一致性问题的同时,结合器件的温度特性与自升温效应,实现了GaAs MESFET的准二维大信号动态分析.

Abstract

This paper presents a nonlinear dynamic large-signal model for GaAs MESFETs with charge sources as elements by way of charge-control methodology.Besides solving the problems of charge non-conservation and current non-consistency under DC and RF conditions,the model realizes the quasi-two-dimensional dynamic analysis considering the temperature characteristics and self-heating effect.

关键词

大信号模型 / 电荷控制法 / 自升温效应 / 准二维分析

Key words

large-signal model / charge-control methodology / self-heating effect / quasi-two-dimensional analysis

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王 静;邓先灿. GaAsMESFET准二维动态大信号模型[J]. 电子学报, 2000, 28(8): 143-145.
WANG Jing;DENG Xian-can. Quasi-Two-Dimensional Dynamic Large-signal GaAs MESFET Model[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 143-145.
中图分类号: TN432   

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国家军事电子
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