漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研制

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电子学报 ›› 2001, Vol. 29 ›› Issue (2) : 164-167.

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Development of High Voltage Thin Film SOI Device with Linearly Doped Drift Region

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{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(2): 164-167.

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