SiCMESFET的大信号电容解析模型

杨林安;于春利;张义门;张玉明

电子学报 ›› 2002, Vol. 30 ›› Issue (2) : 229-231.

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SiCMESFET的大信号电容解析模型

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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An Analytical Large-Signal Capacitance Model for SiC MESFET

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2002, 30(2): 229-231.
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(2): 229-231.
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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