3.4nm超薄SiO<sub>2</sub>栅介质的特性

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电子学报 ›› 2002, Vol. 30 ›› Issue (2) : 269-270.

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3.4nm超薄SiO₂栅介质的特性

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Electrical Characteristics of 3.4nm Gate Oxide

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{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(2): 269-270.

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国家自然科学基金(No.69976001);国家重点基础研究专项基金(No.20000365)

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