改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管

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电子学报 ›› 2002, Vol. 30 ›› Issue (2) : 298-300.

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Linearly-Graded Drift Region-Doped (LGDRD) RESURF LDMOS with an Improved Trade-off between the Breakdown Voltage and On-Resistance

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