基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／<em>f</em>噪声模型

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电子学报 ›› 2002, Vol. 30 ›› Issue (8) : 1192-1195.

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基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型

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A Novel MOSFET 1/f Noise Model Based on Mobility Fluctuation for Linear Region

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{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(8): 1192-1195.

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