浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析

贺朝会;耿 斌;杨海亮;陈晓华;李国政;王燕萍

电子学报 ›› 2003, Vol. 31 ›› Issue (8) : 1260-1262.

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论文

浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Comparison and Analysis of Radiation Effects between Floating Gate ROMs and SRAMs

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2003, 31(8): 1260-1262.
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2003, 31(8): 1260-1262.
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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