基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究

PDF(190 KB)

电子学报 ›› 2004, Vol. 32 ›› Issue (5) : 841-844.

论文

作者信息 +

Modeling and Characterization of Deep-Submicron MOSFET with Short-Channel Effect Based on BSIM^TM

Author information +

文章历史 +

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2004, 32(5): 841-844.

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2004, 32(5): 841-844.

中图分类号：

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

PDF(190 KB)

Accesses

Citation

Detail

江苏省自然科学基金(No.BK2003099);教育部留学回国人员科研启动基金(No.教外司[2003]406);部分受美国国家自然科学基金(No.EPS-9977454)

段落导航