超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测

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电子学报 ›› 2009, Vol. 37 ›› Issue (5) : 947-950.

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超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测

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Process Monitor of Plasma Charging Damage in Ultra-Thin Gate Oxide

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{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2009, 37(5): 947-950.

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江苏省高技术研究项目(No.BG2007006)

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