一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑

韩克锋, 蒋浩, 秦桂霞, 孔月婵

电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (2) : 501-506.

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电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (2) : 501-506. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.02.033
科研通信

一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑

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A Compact Large-Signal Model Topology for GaN High Electron Mobility Transistors

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