沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

崔江维, 郑齐文, 余德昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹, 余学峰, 郭旗

电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (5) : 1128-1132.

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电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (5) : 1128-1132. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.016
学术论文

沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

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Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET

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