一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型

辛艳辉, 段美霞

电子学报 ›› 2019, Vol. 47 ›› Issue (11) : 2432-2437.

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电子学报 ›› 2019, Vol. 47 ›› Issue (11) : 2432-2437. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.027
科研通信

一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型

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An Analytical Model of Threshold Voltage for the Asymmetrical Double-Material-Gate Strained Si HALO Doping Channel MOSFET

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