基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型

葛晨, 李胜, 张弛, 刘斯扬, 孙伟锋

电子学报 ›› 2022, Vol. 50 ›› Issue (5) : 1227-1233.

PDF(1523 KB)
PDF(1523 KB)
电子学报 ›› 2022, Vol. 50 ›› Issue (5) : 1227-1233. DOI: 10.12263/DZXB.20210737
学术论文

基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
作者信息 +

Surface Potential Based E-mode p-GaN HEMT Device Model

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
Author information +
文章历史 +

本文亮点

{{article.keyPoints_cn}}

HeighLight

{{article.keyPoints_en}}

摘要

{{article.zhaiyao_cn}}

Abstract

{{article.zhaiyao_en}}

关键词

Key words

本文二维码

引用本文

导出引用
{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2022, 50(5): 1227-1233 https://doi.org/10.12263/DZXB.20210737
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2022, 50(5): 1227-1233 https://doi.org/10.12263/DZXB.20210737
中图分类号:

参考文献

参考文献

{{article.reference}}

基金

版权

{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
PDF(1523 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航
相关文章

/