超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型

韩名君, 柯导明

电子学报 ›› 2015, Vol. 43 ›› Issue (1) : 94-98.

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电子学报 ›› 2015, Vol. 43 ›› Issue (1) : 94-98. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.01.015
学术论文

超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型

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A 2-D Potential Sub-Threshold Model for Sub-45nm MOSFETs with Ultra Shallow Junctions

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