不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究

刘斯扬, 于朝辉, 张春伟, 孙伟锋, 苏巍, 张爱军, 刘玉伟, 吴世利, 何骁伟

电子学报 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (2) : 348-352.

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电子学报 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (2) : 348-352. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.02.015
学术论文

不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究

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Investigation on the Hot-Carrier-Induced Degradation for 1.8V pMOS Under Different Gate Voltage Stresses

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