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AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管解析模型
杨燕, 王平, 郝跃, 张进城, 李培咸
Analytical Model for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
YANG Yan, WANG Ping, HAO Yue, ZHANG Jin-cheng, LI Pei-xian
电子学报 . 2005, (2): 205 -208 . 

创刊日期：1962年创刊（月刊）
主办单位：中国电子学会
ISSN　0372-2112
CN　11-2087/TN
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