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基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅 LDMOS阈值电压模型
代月花, 高 珊, 柯导明, 陈军宁
Threshold Voltage Model of a Novel Dual Polysilicon Material Gate LDMOS Based on Two Dimensional Potential Distribution
DAI Yue-hua, GAO Shan, KE Dao-ming, CHEN Jun-ning
电子学报 . 2007, (
5
): 844 -848 .