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6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟
尚也淳;张义门;张玉明
Monte Carlo Study of Electron Transport in Inversion Layer of 6H-SiC MOS Structure
SHANG Ye-chun;ZHANG Yi-men;ZHANG Yu-ming
电子学报 . 2001, (2): 157 -159 . 

创刊日期：1962年创刊（月刊）
主办单位：中国电子学会
ISSN　0372-2112
CN　11-2087/TN
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