高压LDMOS导通电阻的高温特性分析

柯导明; 陈军宁

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高压LDMOS导通电阻的高温特性分析

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 高压LDMOS导通电阻的高温特性分析
- Temperature Dependence Analysis of On-State Resistance of A High Voltage LDMOS at Very High Temperatures
- 电子学报 2002年30卷第8期页码：1111-1113
- 作者机构：
  
  安徽大学电子工程系,安徽,合肥,230061
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  安徽省自然科学基金 (No.10142104)
- DOI：
  中图分类号： TN722.1
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
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柯导明, 陈军宁. 高压LDMOS导通电阻的高温特性分析[J]. 电子学报, 2002,30(8):1111-1113.

KE Dao-ming, CHEN Jun-ning. Temperature Dependence Analysis of On-State Resistance of A High Voltage LDMOS at Very High Temperatures[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(8): 1111-1113.
柯导明, 陈军宁. 高压LDMOS导通电阻的高温特性分析[J]. 电子学报, 2002,30(8):1111-1113. DOI：

KE Dao-ming, CHEN Jun-ning. Temperature Dependence Analysis of On-State Resistance of A High Voltage LDMOS at Very High Temperatures[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(8): 1111-1113. DOI：

摘要

本文提出了高压LDMOS的高温等效电路

讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在25℃~300℃范围内随温度变化规律.根据本文分析:源漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度;导通电阻与温度的关系是(

T/T

)

为1.5~2.5).

Abstract

The paper gives the equivalent circuit of a high voltage LDMOS at very high temperatures

and analyzes performance of leakage current and intrinsic parameters of a LDMOS from 25℃ to 300℃.It may be concluded that the maximal applied temperature of a LDMOS is determined by the reverse leakage current of a pn junction across gate and drain

and the relationship between on-resistance and temperature is (

T/T

)

is 1.5 to 2.5).

关键词

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