VCSELs高阶分岔及混沌行为的参数控制

潘 炜; 张晓霞; 罗 斌; 邓 果; 李孝峰; 张伟利; 陈建国

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VCSELs高阶分岔及混沌行为的参数控制

论文 | 更新时间：2025-07-16

- VCSELs高阶分岔及混沌行为的参数控制
- Study of Parameter for Higher Order Bifurcation and Chaos Behavior of VCSELs Control
- 电子学报 2004年32卷第11期页码：1789-1792
- 作者机构：
  
  1. 西南交通大学计算机与通信工程学院,四川,成都,610031
  2. 电子科技大学光电信息学院,四川,成都,610054
  3. 四川大学电子信息学院,四川,成都,610064
  4. 西南交通大学计算机与通信工程学院四川成都,610031
  5. 电子科技大学光电信息学院四川成都,610054
  6. 四川大学电子信息学院四川成都,610064
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金 (No.10174057,No.90201011);国家重点实验室开放课题 (No.2002KF);四川省应用基础科学研究 (No.03JY029-048-1);四川省学术和技术带头人培养基金
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 纸质出版：2004
- 稿件说明：
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潘炜, 张晓霞, 罗斌, 等. VCSELs高阶分岔及混沌行为的参数控制[J]. 电子学报, 2004,32(11):1789-1792.

PAN Wei, ZHANG Xiao-xia, LUO Bin, et al. Study of Parameter for Higher Order Bifurcation and Chaos Behavior of VCSELs Control[J]. Acta Electronica Sinica, 2004, 32(11): 1789-1792.
潘炜, 张晓霞, 罗斌, 等. VCSELs高阶分岔及混沌行为的参数控制[J]. 电子学报, 2004,32(11):1789-1792. DOI：

PAN Wei, ZHANG Xiao-xia, LUO Bin, et al. Study of Parameter for Higher Order Bifurcation and Chaos Behavior of VCSELs Control[J]. Acta Electronica Sinica, 2004, 32(11): 1789-1792. DOI：

摘要

基于自发辐射在微腔激光器中的独特性

利用参数开关调制控制混沌的理论和技术

对VCSELs实施高频大信号深度调制和混沌控制的数值模拟.结果表明

提高自发辐射因子可抑制VCSELs的非线性行为

通过对自发辐射因子的开关调制

可把系统由混沌状态控制到平衡态和nP周期轨道

同时给出了VCSELS各种稳定周期态、分岔数、分岔点位置和混沌带与调控参数之间的定量关系.

Abstract

A new method of VCSELs for controlling chaos is studied

which is based on the parameter switching modulation.The chaos the system is controlled to its fixed point and nP periodic orbits by using the spontaneous emission factor.proves the validity and robustness of this proposed control method.It is shown that high-order harmonic distortion is minimized with large spontaneous emission factor.The quantitative relation among the stability

multi-period or the position of the bifurcation and the parameter switching are given using the bifurcation diagram

the temporal waveforms and the phase space portrait.

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