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有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究
科研通信 | 更新时间:2025-07-16
    • 有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究

    • Voltage-Current Relationship of Active Memristor and Frequency Characteristic of Active Memristive Circuit

    • 电子学报   2013年41卷第3期 页码:593-597
    • DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2013.03.029    

      中图分类号: TM13
    • 纸质出版:2013

    移动端阅览

  • 包伯成, 邹相, 胡文, 等. 有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究[J]. 电子学报, 2013,41(3):593-597. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.03.029.

    BAO Bo-cheng, ZOU Xiang, HU Wen, et al. Voltage-Current Relationship of Active Memristor and Frequency Characteristic of Active Memristive Circuit[J]. Acta Electronica Sinica, 2013, 41(3): 593-597. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.03.029.

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