质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响

谷文萍, 张林, 杨鑫, 全思, 徐小波, 杨丽媛, 刘盼芝

电子学报 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (6) : 1445-1449.

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电子学报 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (6) : 1445-1449. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.06.027
学术论文

质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响

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The Effect of Proton Irradiation on the Electrical Properties of FP-AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

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