质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响

谷文萍, 张林, 杨鑫, 全思, 徐小波, 杨丽媛, 刘盼芝

电子学报 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (6) : 1445-1449.

PDF(4657 KB)
PDF(4657 KB)
电子学报 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (6) : 1445-1449. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.06.027
学术论文

质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
作者信息 +

The Effect of Proton Irradiation on the Electrical Properties of FP-AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
Author information +
文章历史 +

本文亮点

{{article.keyPoints_cn}}

HeighLight

{{article.keyPoints_en}}

摘要

{{article.zhaiyao_cn}}

Abstract

{{article.zhaiyao_en}}

关键词

Key words

本文二维码

引用本文

导出引用
{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2016, 44(6): 1445-1449. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2016.06.027
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2016, 44(6): 1445-1449. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2016.06.027
中图分类号:

参考文献

参考文献

{{article.reference}}

基金

版权

{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
PDF(4657 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航
相关文章

/