纳米级CMOS集成电路的单粒子效应及其加固技术

赵元富, 王亮, 岳素格, 孙永姝, 王丹, 刘琳, 刘家齐, 王汉宁

电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (10) : 2511-2518.

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电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (10) : 2511-2518. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.027
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纳米级CMOS集成电路的单粒子效应及其加固技术

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Single Event Effect and its Hardening Technique in Nano-scale CMOS Integrated Circuits

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2018, 46(10): 2511-2518 https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.027
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2018, 46(10): 2511-2518 https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.027
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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