沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
崔江维, 郑齐文, 余德昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹, 余学峰, 郭旗
Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET
CUI Jiang-wei, ZHENG Qi-wen, YU De-zhao, ZHOU Hang, SU Dan-dan, MA Teng, WEI Ying, YU Xue-feng, GUO Qi
电子学报
.
2018, (5): 1128
-1132
.
DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.016
