高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究

李浩, 任建伟, 杜寰

The Electrical Mechanism Study of High-Ruggedness N-Channel RF-LDMOS Under TLP Stress

LI Hao, REN Jian-wei, DU Huan

电子学报 . 2019, (11): 2317 -2322 . DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.012