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基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
葛晨, 李胜, 张弛, 刘斯扬, 孙伟锋
Surface Potential Based E-mode p-GaN HEMT Device Model
GE Chen, LI Sheng, ZHANG Chi, LIU Si-yang, SUN Wei-feng
电子学报 . 2022, (5): 1227 -1233 .  DOI: 10.12263/DZXB.20210737

创刊日期：1962年创刊（月刊）
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ISSN　0372-2112
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