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氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO2界面应力的研究
徐静平;黎沛涛;李斌
Study on Nitridation-Induced Residual Stress near Si/SiO2 Interface in n-MOSFETs
XU Jing-Ping;LI Pei-tao;LI Bin
电子学报 . 2000, (2): 49 -51 . 

创刊日期：1962年创刊（月刊）
主办单位：中国电子学会
ISSN　0372-2112
CN　11-2087/TN
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