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基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
赵 阳;Parke Stephen;Burke Franklyn
Modeling and Characterization of Deep-Submicron MOSFET with Short-Channel Effect Based on BSIMTM
ZHAO Yang;PARKE Stephen;BURKE Franklyn
电子学报 . 2004, (5): 841 -844 . 

创刊日期：1962年创刊（月刊）
主办单位：中国电子学会
ISSN　0372-2112
CN　11-2087/TN
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