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基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型
徐建生;周求湛;张新发
A Novel MOSFET 1/f Noise Model Based on Mobility Fluctuation for Linear Region
XU Jian-sheng;ZHOU Qiu-zhan;ZHANG Xin-fa
电子学报 . 2002, (8): 1192 -1195 . 

创刊日期：1962年创刊（月刊）
主办单位：中国电子学会
ISSN　0372-2112
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