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超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究
郝跃, 韩晓亮, 刘红侠
The Study on NBTI Mechanism and Its Effect on P+ Gate PMOSFET
HAO Yue, HAN Xiao-liang, LIU Hong-xia
电子学报 . 2003, (S1): 2063 -2065 . 

创刊日期：1962年创刊（月刊）
主办单位：中国电子学会
ISSN　0372-2112
CN　11-2087/TN
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