本文利用NMOS管的自举效应设计了一种新的采用二相无交叠功率时钟的绝热逻辑电路——钟控传输门绝热逻辑电路,实现对输出负载全绝热方式充放电.依此进一步设计了一种新型绝热SRAM,从而可以以全绝热方式有效恢复在字线、写位线、敏感放大线及地址译码器上的大开关电容的电荷.最后,在采用TSMC 0.25 μ m CMOS工艺器件参数情况下,对所设计的绝热SRAM进行HSPCIE模拟,结果表明,此SRAM逻辑功能正确,低功耗特性明显.
本文提出一种FET/pHEMT器件噪声参数提取的新方法.该方法利用50 Ω 输入阻抗噪声系数F50的测量,通过本征H参数和本征级联噪声矩阵 C AINT,确定出关于门噪声温度Tg和漏噪声温度Td的线性方程.后对所有频点的线性方程Tg-Td作统计分析,即可确定Tg和Td.再由噪声网络合成原理求得总的级联噪声相关矩阵 C A,相应的噪声参数(Fmin,Rn和 Γ opt)也求出来了.三个FET/pHEMT器件的测量结果显示出,实测参数与Garcia和Lázaro的方法吻合得很好.
典型的集成Buck型DC-DC变换器,其电感只有一端接入芯片,无法在芯片内部采用Boost型DC-DC在电感两端直接并联电阻的方法进行振铃的快速衰减.文中设计了一种新颖的适用于Buck型DC-DC的抗振铃电路,在芯片内部采用一个线性时变电阻网络将电感的一端与芯片的电源(或地)之间进行连接.进行振铃衰减时,起初电阻较小,振铃衰减很快,但直流电流较大;随着振铃的减弱,逐渐增大电阻以减小直流电流,当振铃结束且直流电流很小时完全断开电阻.这样既达到抗振铃的目的,又不会引起持续的直流放电.采用此电路的一款DC-DC已在韩国Hynix公司的0.5 μ m CMOS工艺线投片,测试结果证明抗振铃效果良好.