为了抑制深亚微米SOI MOSFET的短沟道效应,并提高电流驱动能力,提出了异质栅单Halo SOI MOSFET器件结构,其栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,并在沟道源端一侧引入Halo技术.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维Poisson方程,为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势及阈值电压二维解析模型.对新结构器件与常规SOI MOSFET性能进行了对比研究.结果表明,新结构器件能有效抑制阈值电压漂移、热载流子效应和漏致势垒降低效应,并显著提高载流子通过沟道的输运速度.解析模型与器件数值模拟软件MEDICI所得结果高度吻合.
用户如何方便有效地使用网格是网格界面和使用模式研究的一个关键问题,用户3A使用网格,即Any time,Any place,and on Any device,体现了用户对网格使用的基本需求.本文给出了用户3A使用模式的形式定义,并利用ASM(Abstract State Machine)对用户和服务网格(USG)进行了形式化建模,最后证明了用户和服务网格系统在满足用户合法性、session连通性和服务连续性的情况下,用户可以3A使用服务网格.