张万荣;李志国;王立新;汪 东;崔福现;孙英华;程尧海;陈建新;沈光地;罗晋生
电子学报. 2001, 29(8): 1132-1134.
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中,在高集电极——发射极电压、大电流下,由于热电正反馈,容易发生热击穿,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下,由于热电负反馈,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性,并对这一现象进行了新的解释,认为这是由于大电流下耗散功率增加,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果.这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力,证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用.